Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т3160А-2
Цена:По запросу
Кремниевый эпитаксиально-планарный импульсный бескорпусный n-p-n транзистор 2Т3160А-2 предназначен для применения в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Обозначение технических условий - аАО.339.591 ТУ. Бескорпусное исполнение.Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125 С.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | |
| не менее | не более | ||
| Обратный ток коллектора, мкА, при UКБ = 50 В | IКБО | - | 10 |
| Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 4 В | IЭБО | - | 50 |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, при UКЭ = 3 В, IК = 150 мА, n 30 мкс, Q 50 | h21Э | 3 | 150 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц, при UКЭ = 10 В, IК = 50 мА, f = 108 Гц | fгр | 200 | - |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, при IК = 150 мА, IБ = 15 мА, n 30 мкс, Q 50 | UКЭ нас | - | 0,6 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В, при IК = 150 мА, IБ = 15 мА, n 30 мкс, Q 50 | UБЭ нас | - | 1,2 |
| Граничное напряжение, В, при IБ = 0, IЭ = 10 мА, n 30 мкс, Q 50 | UКЭОгр | 36 | - |
| Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 107 Гц | СК | - | 5 |
| Емкость эмиттерного перехода, пФ, при UЭБ = 0, IК = 0, f = 107 Гц | СЭ | - | 30 |
| Время рассасывания, нс, при IК = 150 мА, IБ1 = IБ2 = 15 мА, n 30 мкс, Q 50 | tрас | - | 100 |
Заказать Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т3160А-2 в Москве можно по телефону +7(495)182-77-48 или Email info@bronic.ru. Наличие, сроки доставки и актуальную цену Вам сообщат при звонке или по запросу наши менеджеры.
