Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т652А
Цена:По запросу
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключающий транзистор "2Т652А" в металлокерамическом корпусе, предназначенный для использования в аппаратуре специального назначения.
Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.304 ТУ.
Корпусное исполнение - металлокерамический корпус КТЮ-27-3.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | ||
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектора, мА, при UКБ = 50 В | IКБ0 | - | 30 | |
| Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 4 В | IЭБ0 | - | 100 | |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 3 В, IК = 500 мА, n 30 мкс, Q 50) | h21Э | 25 | 100 | |
| Время рассасывания, (IК = 500 мА, IБ1 = IБ2 = 50 мА, n 30 мкс, Q 50), нс | tрас | - | 100 | |
| Емкость коллекторного перехода, (UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 107 Гц), пФ | СК | - | 12 | |
| Емкость эмиттерного перехода (UЭБ = 0, IК = 0, f = 107 Гц), пФ | СЭ | - | 110 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, (IК =500 мА, IБ = 50 мА, n 30 мкс, Q 50), В | UКЭ нас | - | 0,65 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, (IК = 500 мА, IБ = 50 мА, n 30 мкс, Q 50), В | UБЭ нас | - | 1,2 | |
| Граничное напряжение, (IК= 10 мА, IБ = 0, n 30 мкс, Q 50), В | UКЭОгр | 36 | - | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 10 В, IК = 50 мА, f = 108 Гц), МГц | fгр | 200 | - | |
Заказать Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т652А в Москве можно по телефону +7(495)182-77-48 или Email info@bronic.ru. Наличие, сроки доставки и актуальную цену Вам сообщат при звонке или по запросу наши менеджеры.
