Микросхема УР1101ХП49

Микросхема УР1101ХП49 представляют собой датчики положения с могниточувствительным элементом, работающем на основе эффекта Холла.

Особенности

• Защита выхода микросхемы то коротко го замыкания на шину питания.
• Защита от перегрева корпуса микросхемы.
• Защита от бросков напряжения питания + 90В.
• Устойчивость магнитных параметров к воздействию механических факторов.
• Высокая температу рная стабильность магнитных параметров.
• Диапазон рабочих температу р от –40°С до +125°С

Устройство и принцип действия

Микросхема УР1101ХП49 является двухполярным датчиком (защелкой). Для его включения требуется магнитное поле положительной полярности с индукцией выше Вср. При уменьшении индукции магнитного поля до нуля датчик остается во включенном состоянии. Для выключения этого датчика необходимо магнитное поле отрицательной полярности ( B(N)-северный полюс) с индукцией ниже значения Вотп.

Микросхемы УР1101ХП49 выпускаются в корпусах типа SOIC-8. Внешний резистор R1=(100÷500) Ом, совместно с внутренним стабилитроном D1, образуют цепь защиты микросхемы от высоковольтных всплесков в бортовой сети. Внешний диод D2 предназначен для защиты микросхемы от переполюсовки напряжения питания. Внешний резистор Rn является нагрузкой для выходного транзистора микросхемы. Сопротивление резистора Rn выбирается таким, чтобы ток выходного транзистора не превышал 20 мА