Транзистор КТ503Е

Цена:По запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Е предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Обозначение технических условий

аАО. 336.183 ТУ / 02

Особенности

- 45 до + 100 C
Комплиментарная пара КТ502

Корпусное исполнение

пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)

Назначение выводов
Вывод	Назначение
№1	Эмиттер
№2	База
№3	Коллектор

Основные электрические параметры КТ503 при Токр. среды = 25 С
Параметры	Обозначение	Ед. изм.	Режимы измерения	Min	Max
Гр. напряжение коллектор-эмиттер	Uкэо гр.	В	Iк=10mA, Iб=0	25-80	-
Обратный ток коллектора	Iкбo	мкА	Uкб= Uкб max	-	1
Статический коэффициент передачи тока	h21Е	-	Uкэ=5B, Iк=10 мA	40	240
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер	Uкэ(нас)	В	Iк=10 мA, Iб=1 мA	-	0,6
Напряжение насыщения база-эмиттер	Uбэ(нас)*	В	Iк=10 мA, Iб=1 мA	-	1,2
Граничная частота коэф. передачи тока	fгр. *	МГц	Uкб= 5B, Iэ=-3 мA	5	-
Емкость коллекторного перехода	Ск *	пФ	Uкб= 5B, f=1МГц	-	50

* Справочные параметры

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ503
Параметры	Обозначение	Ед. измер.	Значение
Напряжение коллектор-база	Uкб max	В	40-100
Напряжение коллектор-эмиттер	Uкэ max	В	25-80
Напряжение эмиттер-база	Uэб max	В	5
Постоянный ток коллектора	Iк max	мА	150
Импульсный ток коллектора (tи 10)	Iки max	мА	100
Рассеиваемая мощность коллектора	Pк max	мВт	300
Температура перехода	Tj	C	350

Классификация КТ503
	КТ503А	КТ503Б	КТ503В	КТ503Г	КТ503Д	КТ503Е
Uкб max, В	40	40	60	60	80	100
Uкэ max, В	25	25	40	40	60	80
Uкэо гр.	25	25	40	40	60	80
h21e	40-120	80-240	40-120	80-240	40-120	40-120

Заказать Транзистор КТ503Е в Москве можно по телефону +7(495)182-77-48 или Email info@bronic.ru. Наличие, сроки доставки и актуальную цену Вам сообщат при звонке или по запросу наши менеджеры.

Похожее оборудование